0 0 0
  8. FDMC510P-F106

Транзисторы с каналом P SMD FDMC510P-F106

 
FDMC510P-F106
 
ONSEMI
Артикул: 622828
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -18А; Idm: -50А; 41Вт; MLP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
89.70 грн
5+
54.14 грн
25+
41.36 грн
68+
39.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
MLP8(1509356)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-18А(1478982)
Сопротивление в открытом состоянии
12мОм(1441505)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
41Вт(1741915)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
116нC(1609972)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-50А(1810523)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDMC510P-F106
ONSEMI
Артикул: 622828
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -18А; Idm: -50А; 41Вт; MLP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
89.70 грн
5+
54.14 грн
25+
41.36 грн
68+
39.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
MLP8
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-18А
Сопротивление в открытом состоянии
12мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
41Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
116нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g