0 0 0
  8. FDMC6675BZ

Транзисторы с каналом P SMD FDMC6675BZ

 
FDMC6675BZ
 
ONSEMI
Артикул: 622856
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -20А; Idm: -32А; 36Вт; WDFN8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
76.27 грн
10+
62.29 грн
20+
52.44 грн
53+
49.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
WDFN8(1605344)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-20А(1492322)
Сопротивление в открытом состоянии
27мОм(1479328)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
36Вт(1607952)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
65нC(1479501)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-32А(1741684)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDMC6675BZ
ONSEMI
Артикул: 622856
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -20А; Idm: -32А; 36Вт; WDFN8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
76.27 грн
10+
62.29 грн
20+
52.44 грн
53+
49.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
WDFN8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-20А
Сопротивление в открытом состоянии
27мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
36Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
65нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-32А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g