Транзисторы многоканальные FDMC8200S

 
FDMC8200S
 
Артикул: 565134
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30/30В; 18/13А; 1,9/2,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
69.32 грн
5+
62.31 грн
20+
51.79 грн
53+
48.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
Power33(1888069)
Напряжение сток-исток
30/30В(1596235)
Ток стока
18/13А(1898277)
Сопротивление в открытом состоянии
32/13,5мОм(1926675)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
1,9/2,5Вт(1926665)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
10/22нC(1887986)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы многоканальные FDMC8200S
ONSEMI
Артикул: 565134
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30/30В; 18/13А; 1,9/2,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
69.32 грн
5+
62.31 грн
20+
51.79 грн
53+
48.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
Power33
Напряжение сток-исток
30/30В
Ток стока
18/13А
Сопротивление в открытом состоянии
32/13,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
1,9/2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
10/22нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g