Транзисторы с каналом N SMD FDMC86160ET100

 
FDMC86160ET100
 
Артикул: 600736
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 31А; Idm: 204А; 65Вт; Power33
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
168.44 грн
5+
150.96 грн
8+
127.92 грн
22+
121.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
Power33(1888069)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
31А(1441516)
Сопротивление в открытом состоянии
26мОм(1479163)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
65Вт(1507555)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
22нC(1479158)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
204А(1758615)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDMC86160ET100
ONSEMI
Артикул: 600736
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 31А; Idm: 204А; 65Вт; Power33
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
168.44 грн
5+
150.96 грн
8+
127.92 грн
22+
121.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
Power33
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
31А
Сопротивление в открытом состоянии
26мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
65Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
22нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
204А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g