0 0 0
  7. FDMD8240LET40

Транзисторы многоканальные FDMD8240LET40

 
FDMD8240LET40
 
ONSEMI
Артикул: 565135
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 73А; Idm: 489А; 50Вт; PQFN12
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
262.12 грн
5+
195.99 грн
14+
184.84 грн
500+
178.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN12(1930648)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
73А(1441561)
Сопротивление в открытом состоянии
4,3мОм(1479335)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
50Вт(1520816)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
56нC(1479440)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
489А(1926677)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы многоканальные FDMD8240LET40
ONSEMI
Артикул: 565135
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 73А; Idm: 489А; 50Вт; PQFN12
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
262.12 грн
5+
195.99 грн
14+
184.84 грн
500+
178.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN12
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
73А
Сопротивление в открытом состоянии
4,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
50Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
56нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
489А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g