0 0 0
  7. FDMD84100

Транзисторы многоканальные FDMD84100

 
FDMD84100
 
ONSEMI
Артикул: 565141
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 21А; Idm: 80А; 23Вт; PQFN8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
223.24 грн
5+
200.61 грн
6+
170.16 грн
17+
160.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN8(1492449)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
21А(1441374)
Сопротивление в открытом состоянии
38мОм(1610034)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
23Вт(1507402)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
16нC(1479019)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы многоканальные FDMD84100
ONSEMI
Артикул: 565141
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 21А; Idm: 80А; 23Вт; PQFN8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
223.24 грн
5+
200.61 грн
6+
170.16 грн
17+
160.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN8
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
21А
Сопротивление в открытом состоянии
38мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
23Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
16нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g