0 0 0
  7. FDMD8680

Транзисторы многоканальные FDMD8680

 
FDMD8680
 
ONSEMI
Артикул: 565129
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 42А; Idm: 487А; 39Вт; PQFN8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
278.00 грн
5+
210.87 грн
14+
199.02 грн
500+
191.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN8(1492449)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
42А(1479340)
Сопротивление в открытом состоянии
8мОм(1479233)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
39Вт(1708586)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
73нC(1479024)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
487А(1926626)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы многоканальные FDMD8680
ONSEMI
Артикул: 565129
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 42А; Idm: 487А; 39Вт; PQFN8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
278.00 грн
5+
210.87 грн
14+
199.02 грн
500+
191.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN8
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
42А
Сопротивление в открытом состоянии
8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
39Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
73нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
487А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g