Транзисторы многоканальные FDME1023PZT

 
FDME1023PZT
 
Артикул: 565121
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2,6А; Idm: -6А; 1,4Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.97 грн
5+
44.46 грн
25+
38.89 грн
27+
37.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
MicroFET(1632937)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-2,6А(1492370)
Сопротивление в открытом состоянии
530мОм(1634371)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
1,4Вт(1449373)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
7,7нC(1609798)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-6А(1810531)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы многоканальные FDME1023PZT
ONSEMI
Артикул: 565121
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2,6А; Idm: -6А; 1,4Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.97 грн
5+
44.46 грн
25+
38.89 грн
27+
37.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
MicroFET
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-2,6А
Сопротивление в открытом состоянии
530мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
1,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
7,7нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g