0 0 0
  8. FDME905PT

Транзисторы с каналом P SMD FDME905PT

 
FDME905PT
 
ONSEMI
Артикул: 622857
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -8А; Idm: -30А; 2,1Вт; MicroFET
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.97 грн
5+
39.84 грн
25+
34.90 грн
31+
33.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
MicroFET(1632937)
Напряжение сток-исток
-12В(1478988)
Ток стока
-8А(1479035)
Сопротивление в открытом состоянии
97мОм(1520447)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2,1Вт(1487305)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
20нC(1479267)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-30А(1811033)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDME905PT
ONSEMI
Артикул: 622857
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -8А; Idm: -30А; 2,1Вт; MicroFET
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.97 грн
5+
39.84 грн
25+
34.90 грн
31+
33.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
MicroFET
Напряжение сток-исток
-12В
Ток стока
-8А
Сопротивление в открытом состоянии
97мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
20нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-30А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g