0 0 0
  8. FDMS004N08C

Транзисторы с каналом N SMD FDMS004N08C

 
FDMS004N08C
 
ONSEMI
Артикул: 532687
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 80А; Idm: 637А; 125Вт; Power56
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
175.59 грн
5+
158.11 грн
9+
121.56 грн
23+
115.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
Power56(1838873)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
80А(1479439)
Сопротивление в открытом состоянии
6,5мОм(1441608)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
55нC(1632980)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
637А(1898283)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDMS004N08C
ONSEMI
Артикул: 532687
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 80А; Idm: 637А; 125Вт; Power56
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
175.59 грн
5+
158.11 грн
9+
121.56 грн
23+
115.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
Power56
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
80А
Сопротивление в открытом состоянии
6,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
55нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
637А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g