0 0 0
  7. FDMS1D2N03DSD

Транзисторы многоканальные FDMS1D2N03DSD

 
FDMS1D2N03DSD
 
ONSEMI
Артикул: 565113
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30/30В; 54/126А; 26/42Вт; PQFN8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
166.73 грн
5+
150.21 грн
8+
125.83 грн
22+
118.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN8(1492449)
Напряжение сток-исток
30/30В(1596235)
Ток стока
54/126А(1926680)
Сопротивление в открытом состоянии
4,9/1,6мОм(1926682)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
26/42Вт(1926683)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
33/117нC(1926684)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы многоканальные FDMS1D2N03DSD
ONSEMI
Артикул: 565113
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30/30В; 54/126А; 26/42Вт; PQFN8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
166.73 грн
5+
150.21 грн
8+
125.83 грн
22+
118.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN8
Напряжение сток-исток
30/30В
Ток стока
54/126А
Сопротивление в открытом состоянии
4,9/1,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
26/42Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
33/117нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g