0 0 0
  7. FDMS3604S

Транзисторы многоканальные FDMS3604S

 
FDMS3604S
 
ONSEMI
Артикул: 943073
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30/30В; 30/40А; Idm: 40÷100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
79.34 грн
5+
64.75 грн
21+
49.67 грн
56+
46.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN8(1492449)
Конструкция диода
асимметричная(1609783)
Напряжение сток-исток
30/30В(1596235)
Ток стока
30/40А(1898287)
Сопротивление в открытом состоянии
10,8/4мОм(1898301)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
2,2/2,5Вт(1898289)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
29/66нC(1898302)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
40...100А(1898288)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные FDMS3604S
ONSEMI
Артикул: 943073
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30/30В; 30/40А; Idm: 40÷100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
79.34 грн
5+
64.75 грн
21+
49.67 грн
56+
46.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN8
Конструкция диода
асимметричная
Напряжение сток-исток
30/30В
Ток стока
30/40А
Сопротивление в открытом состоянии
10,8/4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
2,2/2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
29/66нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
40...100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g