0 0 0
  7. FDMS3660S

Транзисторы многоканальные FDMS3660S

 
FDMS3660S
 
ONSEMI
Артикул: 565118
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30/30В; 30/60А; 2,2/2,5Вт; PQFN8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
139.79 грн
5+
127.15 грн
11+
96.35 грн
29+
90.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2639 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN8(1492449)
Напряжение сток-исток
30/30В(1596235)
Ток стока
30/60А(1926685)
Сопротивление в открытом состоянии
11/2,6мОм(1926686)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
2,2/2,5Вт(1898289)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
29/87нC(1926687)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,159 g
 
Транзисторы многоканальные FDMS3660S
ONSEMI
Артикул: 565118
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30/30В; 30/60А; 2,2/2,5Вт; PQFN8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
139.79 грн
5+
127.15 грн
11+
96.35 грн
29+
90.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2639 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN8
Напряжение сток-исток
30/30В
Ток стока
30/60А
Сопротивление в открытом состоянии
11/2,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
2,2/2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
29/87нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,159 g