Транзисторы многоканальные FDMS3669S

 
FDMS3669S
 
Артикул: 565132
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30/30В; 24/60А; 2,2/2,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
83.71 грн
5+
75.82 грн
16+
63.18 грн
44+
60.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
Power56(1838873)
Напряжение сток-исток
30/30В(1596235)
Ток стока
24/60А(1926690)
Сопротивление в открытом состоянии
14,5/7,1мОм(1926691)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
2,2/2,5Вт(1898289)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
24/34нC(1926692)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы многоканальные FDMS3669S
ONSEMI
Артикул: 565132
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30/30В; 24/60А; 2,2/2,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
83.71 грн
5+
75.82 грн
16+
63.18 грн
44+
60.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
Power56
Напряжение сток-исток
30/30В
Ток стока
24/60А
Сопротивление в открытом состоянии
14,5/7,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
2,2/2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
24/34нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g