0 0 0
  8. FDMS4435BZ

Транзисторы с каналом P SMD FDMS4435BZ

 
FDMS4435BZ
 
ONSEMI
Артикул: 622862
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -18А; Idm: -50А; 39Вт; Power56
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
77.36 грн
5+
69.39 грн
19+
52.64 грн
52+
49.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2987 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
Power56(1838873)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-18А(1478982)
Сопротивление в открытом состоянии
37мОм(1479006)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
39Вт(1708586)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
47нC(1610022)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-50А(1810523)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,135 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDMS4435BZ
ONSEMI
Артикул: 622862
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -18А; Idm: -50А; 39Вт; Power56
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
77.36 грн
5+
69.39 грн
19+
52.64 грн
52+
49.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2987 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
Power56
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-18А
Сопротивление в открытом состоянии
37мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
39Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
47нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,135 g