0 0 0
  8. FDMS8320LDC

Транзисторы с каналом N SMD FDMS8320LDC

 
FDMS8320LDC
 
ONSEMI
Артикул: 600649
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 192А; Idm: 300А; 125Вт; DFN8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
281.29 грн
5+
213.28 грн
13+
201.69 грн
100+
200.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN8(1443828)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
192А(1492578)
Сопротивление в открытом состоянии
1,7мОм(1479605)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
170нC(1479526)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
300А(1714520)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDMS8320LDC
ONSEMI
Артикул: 600649
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 192А; Idm: 300А; 125Вт; DFN8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
281.29 грн
5+
213.28 грн
13+
201.69 грн
100+
200.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN8
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
192А
Сопротивление в открытом состоянии
1,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
170нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
300А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g