0 0 0
  8. FDMS86163P

Транзисторы с каналом P SMD FDMS86163P

 
FDMS86163P
 
ONSEMI
Артикул: 140667
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -50А; 104Вт; PQFN8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
219.55 грн
3+
181.65 грн
8+
139.00 грн
20+
131.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN8(1492449)
Напряжение сток-исток
-100В(1478949)
Ток стока
-50А(1588832)
Сопротивление в открытом состоянии
36мОм(1479276)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
104Вт(1520829)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
59нC(1479513)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,139 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDMS86163P
ONSEMI
Артикул: 140667
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -50А; 104Вт; PQFN8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
219.55 грн
3+
181.65 грн
8+
139.00 грн
20+
131.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN8
Напряжение сток-исток
-100В
Ток стока
-50А
Сопротивление в открытом состоянии
36мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
104Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
59нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,139 g