0 0 0
  8. FDMS8680

Транзисторы с каналом N SMD FDMS8680

 
FDMS8680
 
ONSEMI
Артикул: 532701
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 35А; Idm: 100А; 50Вт; Power56
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
128.27 грн
5+
114.73 грн
12+
88.44 грн
25+
87.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
Power56(1838873)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
35А(1441492)
Сопротивление в открытом состоянии
10,5мОм(1441291)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
50Вт(1520816)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
26нC(1479074)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDMS8680
ONSEMI
Артикул: 532701
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 35А; Idm: 100А; 50Вт; Power56
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
128.27 грн
5+
114.73 грн
12+
88.44 грн
25+
87.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
Power56
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
35А
Сопротивление в открытом состоянии
10,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
50Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
26нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g