0 0 0
  7. FDMS9600S

Транзисторы многоканальные FDMS9600S

 
FDMS9600S
 
ONSEMI
Артикул: 532702
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30/30В; 32/30А; Idm: 60А; 2,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
162.65 грн
5+
146.78 грн
9+
111.87 грн
25+
105.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
Power56(1838873)
Напряжение сток-исток
30/30В(1596235)
Ток стока
32/30А(1898295)
Сопротивление в открытом состоянии
13/8,3мОм(1898296)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
13/29нC(1898297)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
60А(1741654)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные FDMS9600S
ONSEMI
Артикул: 532702
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30/30В; 32/30А; Idm: 60А; 2,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
162.65 грн
5+
146.78 грн
9+
111.87 грн
25+
105.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
Power56
Напряжение сток-исток
30/30В
Ток стока
32/30А
Сопротивление в открытом состоянии
13/8,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
13/29нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
60А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g