0 0 0
  8. FDMT1D3N08B

Транзисторы с каналом N SMD FDMT1D3N08B

 
FDMT1D3N08B
 
ONSEMI
Артикул: 600734
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 103А; Idm: 864А; 178Вт; PQFN8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
510.55 грн
3+
382.12 грн
8+
361.51 грн
500+
348.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN8(1492449)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
103А(1599485)
Сопротивление в открытом состоянии
2,2мОм(1501029)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
178Вт(1507588)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
260нC(1479537)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
864А(1926650)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDMT1D3N08B
ONSEMI
Артикул: 600734
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 103А; Idm: 864А; 178Вт; PQFN8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
510.55 грн
3+
382.12 грн
8+
361.51 грн
500+
348.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN8
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
103А
Сопротивление в открытом состоянии
2,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
178Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
260нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
864А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g