0 0 0
  8. FDMT800100DC

Транзисторы с каналом N SMD FDMT800100DC

 
FDMT800100DC
 
ONSEMI
Артикул: 600750
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 102А; Idm: 989А; 156Вт; DFNW8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
661.88 грн
2+
499.76 грн
6+
473.00 грн
25+
472.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFNW8(1838460)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
102А(1625139)
Сопротивление в открытом состоянии
5,39мОм(1926652)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
156Вт(1741756)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
111нC(1733907)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
989А(1926651)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDMT800100DC
ONSEMI
Артикул: 600750
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 102А; Idm: 989А; 156Вт; DFNW8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
661.88 грн
2+
499.76 грн
6+
473.00 грн
25+
472.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFNW8
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
102А
Сопротивление в открытом состоянии
5,39мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
156Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
111нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
989А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g