0 0 0
  8. FDMT800120DC

Транзисторы с каналом N SMD FDMT800120DC

 
FDMT800120DC
 
ONSEMI
Артикул: 600739
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 81А; Idm: 767А; 156Вт; DFNW8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
519.27 грн
3+
388.46 грн
7+
367.06 грн
500+
352.79 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFNW8(1838460)
Напряжение сток-исток
120В(1520458)
Ток стока
81А(1479447)
Сопротивление в открытом состоянии
7,7мОм(1599917)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
156Вт(1741756)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
107нC(1512597)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
767А(1926653)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDMT800120DC
ONSEMI
Артикул: 600739
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 81А; Idm: 767А; 156Вт; DFNW8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
519.27 грн
3+
388.46 грн
7+
367.06 грн
500+
352.79 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFNW8
Напряжение сток-исток
120В
Ток стока
81А
Сопротивление в открытом состоянии
7,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
156Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
107нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
767А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g