0 0 0
  8. FDMT800150DC

Транзисторы с каналом N SMD FDMT800150DC

 
FDMT800150DC
 
ONSEMI
Артикул: 600767
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 62А; Idm: 561А; 156Вт; DFNW8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
586.08 грн
3+
438.37 грн
7+
414.55 грн
500+
397.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFNW8(1838460)
Напряжение сток-исток
150В(1441538)
Ток стока
62А(1479409)
Сопротивление в открытом состоянии
13мОм(1479176)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
156Вт(1741756)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
108нC(1479604)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
561А(1926654)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDMT800150DC
ONSEMI
Артикул: 600767
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 62А; Idm: 561А; 156Вт; DFNW8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
586.08 грн
3+
438.37 грн
7+
414.55 грн
500+
397.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFNW8
Напряжение сток-исток
150В
Ток стока
62А
Сопротивление в открытом состоянии
13мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
156Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
108нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
561А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g