0 0 0
  8. FDMT800152DC

Транзисторы с каналом N SMD FDMT800152DC

 
FDMT800152DC
 
ONSEMI
Артикул: 600727
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 45А; Idm: 413А; 113Вт; DFNW8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
472.85 грн
3+
354.06 грн
8+
334.78 грн
500+
322.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFNW8(1838460)
Напряжение сток-исток
150В(1441538)
Ток стока
45А(1441307)
Сопротивление в открытом состоянии
19мОм(1441301)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
113Вт(1740787)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
83нC(1479330)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
413А(1926655)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDMT800152DC
ONSEMI
Артикул: 600727
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 45А; Idm: 413А; 113Вт; DFNW8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
472.85 грн
3+
354.06 грн
8+
334.78 грн
500+
322.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFNW8
Напряжение сток-исток
150В
Ток стока
45А
Сопротивление в открытом состоянии
19мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
113Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
83нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
413А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g