0 0 0
  8. FDN304PZ

Транзисторы с каналом P SMD FDN304PZ

 
FDN304PZ
 
ONSEMI
Артикул: 140670
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
42.31 грн
25+
28.73 грн
50+
20.16 грн
138+
19.05 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2991 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-3(1603620)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-2,4А(1492272)
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,5Вт(1507575)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
20нC(1479267)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDN304PZ
ONSEMI
Артикул: 140670
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
42.31 грн
25+
28.73 грн
50+
20.16 грн
138+
19.05 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2991 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-3
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-2,4А
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
20нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g