0 0 0
  8. FDN306P

Транзисторы с каналом P SMD FDN306P

 
FDN306P
 
ONSEMI
Артикул: 140671
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
32.55 грн
10+
25.32 грн
25+
21.27 грн
67+
15.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3705 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-3(1603620)
Напряжение сток-исток
-12В(1478988)
Ток стока
-2,6А(1492370)
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм(1441523)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,5Вт(1507575)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
17нC(1479101)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,029 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDN306P
ONSEMI
Артикул: 140671
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
32.55 грн
10+
25.32 грн
25+
21.27 грн
67+
15.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3705 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-3
Напряжение сток-исток
-12В
Ток стока
-2,6А
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
17нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,029 g