0 0 0
  8. FDN335N

Транзисторы с каналом N SMD FDN335N

 
FDN335N
 
ONSEMI
Артикул: 076065
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,7А; 500мВт; SuperSOT-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
31.75 грн
50+
22.70 грн
72+
14.10 грн
198+
13.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1207 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-3(1603620)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
1,7А(1441494)
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,5Вт(1507575)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
5нC(1609811)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDN335N
ONSEMI
Артикул: 076065
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,7А; 500мВт; SuperSOT-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
31.75 грн
50+
22.70 грн
72+
14.10 грн
198+
13.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1207 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-3
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
1,7А
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
5нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g