0 0 0
  8. FDN336P

Транзисторы с каналом P SMD FDN336P

 
FDN336P
 
ONSEMI
Артикул: 140673
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
39.45 грн
25+
20.40 грн
72+
14.16 грн
196+
13.39 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2533 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-3(1603620)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-1,3А(1636485)
Сопротивление в открытом состоянии
0,32Ом(1638678)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,5Вт(1507575)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
5нC(1609811)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDN336P
ONSEMI
Артикул: 140673
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
39.45 грн
25+
20.40 грн
72+
14.16 грн
196+
13.39 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2533 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-3
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-1,3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,32Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
5нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g