0 0 0
  8. FDN338P

Транзисторы с каналом P SMD FDN338P

 
FDN338P
 
ONSEMI
Артикул: 140674
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
30.43 грн
25+
22.62 грн
64+
15.75 грн
175+
14.89 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-3(1603620)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-1,6А(1492339)
Сопротивление в открытом состоянии
0,165Ом(1743044)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,5Вт(1507575)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
6,2нC(1479210)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,021 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDN338P
ONSEMI
Артикул: 140674
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
30.43 грн
25+
22.62 грн
64+
15.75 грн
175+
14.89 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-3
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-1,6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,165Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
6,2нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,021 g