0 0 0
  8. FDN339AN

Транзисторы с каналом N SMD FDN339AN

 
FDN339AN
 
ONSEMI
Артикул: 076067
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
38.90 грн
25+
23.18 грн
57+
17.78 грн
157+
16.83 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 5513 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-3(1603620)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
3А(1441397)
Сопротивление в открытом состоянии
61мОм(1632974)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,5Вт(1507575)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
10нC(1479106)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDN339AN
ONSEMI
Артикул: 076067
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
38.90 грн
25+
23.18 грн
57+
17.78 грн
157+
16.83 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 5513 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-3
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
3А
Сопротивление в открытом состоянии
61мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
10нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g