0 0 0
  8. FDN359AN

Транзисторы с каналом N SMD FDN359AN

 
FDN359AN
 
ONSEMI
Артикул: 076069
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
34.17 грн
10+
20.42 грн
25+
18.75 грн
69+
14.38 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2035 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-3(1603620)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
2,7А(1492297)
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм(1479133)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,5Вт(1507575)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
7нC(1479104)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,02 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDN359AN
ONSEMI
Артикул: 076069
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
34.17 грн
10+
20.42 грн
25+
18.75 грн
69+
14.38 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2035 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-3
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
2,7А
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
7нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,02 g