0 0 0
  8. FDN5630

Транзисторы с каналом N SMD FDN5630

 
FDN5630
 
ONSEMI
Артикул: 076071
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
32.55 грн
10+
25.56 грн
84+
12.06 грн
230+
11.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 4595 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-3(1603620)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
1,7А(1441494)
Сопротивление в открытом состоянии
0,18Ом(1459400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,5Вт(1507575)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
10нC(1479106)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDN5630
ONSEMI
Артикул: 076071
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
32.55 грн
10+
25.56 грн
84+
12.06 грн
230+
11.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 4595 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-3
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
1,7А
Сопротивление в открытом состоянии
0,18Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
10нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g