0 0 0
  8. FDP047N08-F102

Транзисторы с каналом N THT FDP047N08-F102

 
FDP047N08-F102
 
ONSEMI
Артикул: 532728
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 116А; Idm: 656А; 168Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
181.35 грн
3+
162.97 грн
8+
131.02 грн
22+
123.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 24 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
75В(1441319)
Ток стока
116А(1492365)
Сопротивление в открытом состоянии
4,7мОм(1479532)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
168Вт(1741929)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
152нC(1743005)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
656А(1880632)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,015 g
 
Транзисторы с каналом N THT FDP047N08-F102
ONSEMI
Артикул: 532728
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 116А; Idm: 656А; 168Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
181.35 грн
3+
162.97 грн
8+
131.02 грн
22+
123.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 24 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
75В
Ток стока
116А
Сопротивление в открытом состоянии
4,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
168Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
152нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
656А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,015 g