0 0 0
  8. FDP16AN08A0

Транзисторы с каналом N THT FDP16AN08A0

 
FDP16AN08A0
 
ONSEMI
Артикул: 532730
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 44А; 135Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
122.90 грн
3+
108.63 грн
10+
96.73 грн
12+
84.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
75В(1441319)
Ток стока
44А(1479353)
Сопротивление в открытом состоянии
37мОм(1479006)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
135Вт(1702216)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
42нC(1478958)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT FDP16AN08A0
ONSEMI
Артикул: 532730
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 44А; 135Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
122.90 грн
3+
108.63 грн
10+
96.73 грн
12+
84.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
75В
Ток стока
44А
Сопротивление в открытом состоянии
37мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
135Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
42нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g