Транзисторы с каналом N THT FDP2614

 
FDP2614
 
Артикул: 532733
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 39,3А; 260Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
355.15 грн
3+
320.19 грн
4+
253.45 грн
11+
239.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 82 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
39,3А(1898323)
Сопротивление в открытом состоянии
27мОм(1479328)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
260Вт(1701961)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
99нC(1479393)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,98 g
 
Транзисторы с каналом N THT FDP2614
ONSEMI
Артикул: 532733
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 39,3А; 260Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
355.15 грн
3+
320.19 грн
4+
253.45 грн
11+
239.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 82 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
39,3А
Сопротивление в открытом состоянии
27мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
260Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
99нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,98 g