Транзисторы с каналом N THT FDP33N25

 
FDP33N25
 
Артикул: 524825
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 20,4А; Idm: 132А; 235Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
142.69 грн
10+
116.53 грн
11+
96.71 грн
28+
91.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
250В(1441306)
Ток стока
20,4А(1887995)
Сопротивление в открытом состоянии
94мОм(1609998)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
235Вт(1742117)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
48нC(1479306)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
132А(1801395)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,947 g
 
Транзисторы с каналом N THT FDP33N25
ONSEMI
Артикул: 524825
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 20,4А; Idm: 132А; 235Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
142.69 грн
10+
116.53 грн
11+
96.71 грн
28+
91.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
250В
Ток стока
20,4А
Сопротивление в открытом состоянии
94мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
235Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
48нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
132А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,947 g