0 0 0
  8. FDP3632

Транзисторы с каналом N THT FDP3632

 
FDP3632
 
ONSEMI
Артикул: 078128
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 12А; 310Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
256.59 грн
3+
231.08 грн
6+
176.98 грн
16+
166.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 25 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
12А(1441370)
Сопротивление в открытом состоянии
22мОм(1441360)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
310Вт(1741906)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
110нC(1479315)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,013 g
 
Транзисторы с каналом N THT FDP3632
ONSEMI
Артикул: 078128
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 12А; 310Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
256.59 грн
3+
231.08 грн
6+
176.98 грн
16+
166.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 25 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
12А
Сопротивление в открытом состоянии
22мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
310Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
110нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,013 g