0 0 0
  8. FDP52N20

Транзисторы с каналом N THT FDP52N20

 
FDP52N20
 
ONSEMI
Артикул: 078131
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
161.53 грн
3+
145.30 грн
9+
110.52 грн
25+
105.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
33А(1479307)
Сопротивление в открытом состоянии
49мОм(1625136)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
357Вт(1740831)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
63нC(1479469)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,018 g
 
Транзисторы с каналом N THT FDP52N20
ONSEMI
Артикул: 078131
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
161.53 грн
3+
145.30 грн
9+
110.52 грн
25+
105.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
33А
Сопротивление в открытом состоянии
49мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
357Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
63нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,018 g