0 0 0
  8. FDP80N06

Транзисторы с каналом N THT FDP80N06

 
FDP80N06
 
ONSEMI
Артикул: 532737
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 65А; Idm: 320А; 176Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
120.77 грн
3+
108.06 грн
10+
95.34 грн
12+
83.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
65А(1441313)
Сопротивление в открытом состоянии
10мОм(1441308)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
176Вт(1740764)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
74нC(1479341)
Технология
UniFET™(1632958) DMOS(1605573)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
320А(1741662)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT FDP80N06
ONSEMI
Артикул: 532737
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 65А; Idm: 320А; 176Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
120.77 грн
3+
108.06 грн
10+
95.34 грн
12+
83.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
65А
Сопротивление в открытом состоянии
10мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
176Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
74нC
Технология
UniFET™
Технология
DMOS
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
320А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g