0 0 0
  8. FDPF2D3N10C

Транзисторы с каналом N THT FDPF2D3N10C

 
FDPF2D3N10C
 
ONSEMI
Артикул: 532743
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 157А; Idm: 888А; 45Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
475.29 грн
3+
327.46 грн
9+
309.18 грн
250+
305.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
157А(1609934)
Сопротивление в открытом состоянии
2,3мОм(1479289)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
45Вт(1607948)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
152нC(1743005)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
888А(1898322)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT FDPF2D3N10C
ONSEMI
Артикул: 532743
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 157А; Idm: 888А; 45Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
475.29 грн
3+
327.46 грн
9+
309.18 грн
250+
305.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
157А
Сопротивление в открытом состоянии
2,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
45Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
152нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
888А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g