Транзисторы с каналом N SMD FDS2582

 
FDS2582
 
Артикул: 076073
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 2,6А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
78.82 грн
5+
68.78 грн
19+
53.32 грн
51+
50.23 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 932 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
150В(1441538)
Ток стока
2,6А(1479113)
Сопротивление в открытом состоянии
146мОм(1632959)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
25нC(1479056)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,138 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDS2582
ONSEMI
Артикул: 076073
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 2,6А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
78.82 грн
5+
68.78 грн
19+
53.32 грн
51+
50.23 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 932 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
150В
Ток стока
2,6А
Сопротивление в открытом состоянии
146мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
25нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,138 g