Транзисторы с каналом N SMD FDS3572

 
FDS3572
 
Артикул: 389986
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 5,6А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
113.38 грн
10+
95.15 грн
17+
59.47 грн
46+
56.30 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
5,6А(1492288)
Сопротивление в открытом состоянии
32мОм(1441272)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDS3572
ONSEMI
Артикул: 389986
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 5,6А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
113.38 грн
10+
95.15 грн
17+
59.47 грн
46+
56.30 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
5,6А
Сопротивление в открытом состоянии
32мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g