0 0 0
  7. FDS3890

Транзисторы многоканальные FDS3890

 
FDS3890
 
ONSEMI
Артикул: 532704
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 4,7А; Idm: 20А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
126.95 грн
10+
105.53 грн
14+
75.38 грн
37+
71.41 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
4,7А(1479142)
Сопротивление в открытом состоянии
82мОм(1479274)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
35нC(1479287)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
20А(1741666)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные FDS3890
ONSEMI
Артикул: 532704
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 4,7А; Idm: 20А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
126.95 грн
10+
105.53 грн
14+
75.38 грн
37+
71.41 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
4,7А
Сопротивление в открытом состоянии
82мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
35нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g