0 0 0
  8. FDS4435BZ

Транзисторы с каналом P SMD FDS4435BZ

 
FDS4435BZ
 
ONSEMI
Артикул: 140681
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -8,8А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
94.46 грн
5+
36.83 грн
25+
31.83 грн
38+
26.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1508 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-8,8А(1492363)
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм(1441501)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
40нC(1479263)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,127 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDS4435BZ
ONSEMI
Артикул: 140681
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -8,8А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
94.46 грн
5+
36.83 грн
25+
31.83 грн
38+
26.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1508 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-8,8А
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
40нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,127 g