Транзисторы с каналом P SMD FDS4465

 
FDS4465
 
Артикул: 140682
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -13,5А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
118.84 грн
5+
101.53 грн
14+
72.41 грн
38+
68.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 317 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-13,5А(1643121)
Сопротивление в открытом состоянии
10,5мОм(1441291)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,12мкC(1950533)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,117 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDS4465
ONSEMI
Артикул: 140682
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -13,5А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
118.84 грн
5+
101.53 грн
14+
72.41 грн
38+
68.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 317 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-13,5А
Сопротивление в открытом состоянии
10,5мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,12мкC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,117 g