0 0 0
  7. FDS4501H

Транзисторы многоканальные FDS4501H

 
FDS4501H
 
ONSEMI
Артикул: 532577
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 9,3/-5,6А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.63 грн
5+
51.85 грн
25+
39.64 грн
68+
37.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
30/-20В(1643508)
Ток стока
9,3/-5,6А(1996946)
Сопротивление в открытом состоянии
80/29мОм(1898311)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
21/27нC(1898312)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
±20/±8В(1996947)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные FDS4501H
ONSEMI
Артикул: 532577
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 9,3/-5,6А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.63 грн
5+
51.85 грн
25+
39.64 грн
68+
37.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
30/-20В
Ток стока
9,3/-5,6А
Сопротивление в открытом состоянии
80/29мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
21/27нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
±20/±8В
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g