Транзисторы многоканальные FDS4897C

 
FDS4897C
 
Артикул: 000248
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 40/-40В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
63.57 грн
5+
47.60 грн
25+
39.46 грн
68+
37.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 21 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
40/-40В(1643452)
Ток стока
6,2/-4,4А(1996950)
Сопротивление в открытом состоянии
43/73мОм(1713744)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
20/28нC(1633330)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид транзистора
комплементарная пара(1492083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,13 g
 
Транзисторы многоканальные FDS4897C
ONSEMI
Артикул: 000248
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 40/-40В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
63.57 грн
5+
47.60 грн
25+
39.46 грн
68+
37.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 21 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
40/-40В
Ток стока
6,2/-4,4А
Сопротивление в открытом состоянии
43/73мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
20/28нC
Технология
PowerTrench®
Вид транзистора
комплементарная пара
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,13 g