0 0 0
  7. FDS4935BZ

Транзисторы многоканальные FDS4935BZ

 
FDS4935BZ
 
ONSEMI
Артикул: 000249
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
83.72 грн
5+
50.70 грн
25+
39.30 грн
69+
37.13 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1665 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-6,9А(1492462)
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм(1441501)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
40нC(1479263)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,133 g
 
Транзисторы многоканальные FDS4935BZ
ONSEMI
Артикул: 000249
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
83.72 грн
5+
50.70 грн
25+
39.30 грн
69+
37.13 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1665 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-6,9А
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
40нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,133 g