0 0 0
  8. FDS6673BZ

Транзисторы с каналом P SMD FDS6673BZ

 
FDS6673BZ
 
ONSEMI
Артикул: 140687
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
86.57 грн
5+
62.65 грн
23+
43.60 грн
63+
41.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-14,5А(1492507)
Сопротивление в открытом состоянии
12мОм(1441505)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
65нC(1479501)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,098 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDS6673BZ
ONSEMI
Артикул: 140687
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
86.57 грн
5+
62.65 грн
23+
43.60 грн
63+
41.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-14,5А
Сопротивление в открытом состоянии
12мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
65нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,098 g