0 0 0
  8. FDS6675BZ

Транзисторы с каналом P SMD FDS6675BZ

 
FDS6675BZ
 
ONSEMI
Артикул: 140688
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -11А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
48.01 грн
25+
46.35 грн
30+
34.15 грн
81+
32.35 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2489 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-11А(1479014)
Сопротивление в открытом состоянии
21,8мОм(1633427)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
35нC(1479287)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,08 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDS6675BZ
ONSEMI
Артикул: 140688
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -11А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
48.01 грн
25+
46.35 грн
30+
34.15 грн
81+
32.35 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2489 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-11А
Сопротивление в открытом состоянии
21,8мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
35нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,08 g